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参数资料
| 型号： | PT100MF0MP1 |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 910nm |
| 视角： | 30° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 通用 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，无引线 |
| 其它名称： | 425-1007-1 |
PT100MF0MPx
Fig. 7 Radiation Diagram (TYP.)
Fig. 9 Relative Output vs.
-20°
-10°
0°
+10°
+20°
Distance to Detector
100
Ta = 25°C
(Emitter: GL100M N 0MP)
-30°
8 0
+30°
100
I F = constant
Ta = 25°C
-40°
-50°
-60°
60
40
+40°
+50°
+60°
10
1
20
-70°
- 8 0°
+70°
+ 8 0°
0.1
-90°
0
+90°
Ang u lar displacement θ
0.01
0.1
1
10
100
1000
Fig. 8 Collector-emitter Saturation
Voltage vs. Irradiance
1.4
Ta = 25°C
1.2
1.0
2 mA
0. 8
Distance to detector (mm)
0.6
1 mA
0 .5 mA
0.4
0.1 mA
0.2
0
I C = 0.05 mA
0.01
0.1
Irradiance Ee
1
(m W /cm 2 )
10
Sheet No.: D1-A01801EN
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT100MF1MP1 | PHOTOTRANS DARL OUT CLEAR SMD |
| PT103G2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20C |
| PT103J2 | THERMISTOR 10K OHM +/-0.20 C |
| PT104J2 | THERMISTOR 100K OHM +/-0.20 C |
| PT11-21C/L41/TR8 | PHOTOTRANSISTOR CLEAR MINI 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PT100MF1MP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| PT100MF1MP1 | 功能描述:光电晶体管 Darlington output Ver of PT100MF0MP1 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| PT100P01 | 制造商:Seiko Instruments Inc (SII) 功能描述: |
| PT100PG | 制造商:Hammond Manufacturing 功能描述: |
| PT100PSIG-13-LI3-H1131 | 制造商:TURCK Inc 功能描述:Sensor, Pressure Transmitter, Scaled In Bar, 0-100 bar (0-1450 psi), H6831459 |
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