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参数资料
| 型号： | PT481FE0000F |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 1mA |
| 波长： | 860nm |
| 视角： | 70° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 其它名称： | 425-2383-5 |
PT481FE0000F
Fig. 7 Response Time vs.
Load Resistance
1000
V CE = 2 V
I C = 10 mA
Ta = 25°C
Fig. 10 Relative Output vs Distance
Emitter: GL4 8 0E00000F
100
100
tr
tf
10
td
10
1
ts
1
10
100
1000
5000
Load resistance R L ( )
1
10
Distance b et w een emitter and detector (mm)
Fig. 8 Test Circuit for Response Time
Inp u t
Fig. 11 Sensitivity vs. Axis (TYP.)
(Ta = 25 ° C)
O u tp u t
90%
-20 °
-10 °
0 °
+10 °
+20 °
O u tp u t
100
V CC
R L
10%
-30 °
+30 °
8 0
td
ts
tr
tf
-40 °
60
+40 °
Fig. 9 Collector-to-Emitter Saturation
Voltage vs. Irradience
-50 °
40
+50 °
2.0
(Ta = 25 ° C)
-60 °
-70 °
20
+60 °
+70 °
1. 8
- 8 0 °
+ 8 0 °
1.6
1.4
-90 °
0
Ang u lar displacement θ
+90 °
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.005 0.01
0.02 0.05 0.1
0.2
0.5
1
Irradiance Ee
(m W /cm 2 )
Graph data is for reference only and is not guaranteed data.
Sheet No.: D1-A01401EN
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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