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参数资料
| 型号： | PUMH14 |
| 英文描述： | 7NS, PDIP, COM TEMP(EPLD) |
| 中文描述： | 7ns,塑料双列直插式封装，常温可编程逻辑器件 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | PUMH14 |
DATA SHEET
Product specication
2003 Oct 16
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PUMH14
NPN/NPN resistor-equipped
transistors; R1 = 47 k
, R2 = open
MBD128
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PUMH15 | 7NS, SOIC, COM TEMP(EPLD) |
| PUMH16 | 15NS, PLCC, COM TEMP(EPLD) |
| PUMH17 | 15NS, PLCC, IND TEMP(EPLD) |
| PUMH18 | 15NS, PDIP, COM TEMPR(EPLD) |
| PUMH19 | 15NS, SOIC, IND TEMP(EPLD) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PUMH14 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| PUMH14,115 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| PUMH15 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL DIGITAL SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N/N Transistor,4k7,47k,SOT-363 |
| PUMH15 T/R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| PUMH15,115 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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