参数资料
型号: PUMH14
英文描述: 7NS, PDIP, COM TEMP(EPLD)
中文描述: 7ns,塑料双列直插式封装,常温可编程逻辑器件
文件页数: 4/7页
文件大小: 51K
代理商: PUMH14
2003 Oct 16
4
Philips Semiconductors
Product specication
NPN/NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 47 k
, R2 = open
PUMH14
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB =50V; IE =0
100
nA
ICEO
collector-emitter cut-off current
VCE =30V; IB =0
1
A
VCE =30V; IB = 0; Tj = 150°C
50
A
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB =5V; IC =0
100
nA
hFE
DC current gain
VCE =5V; IC = 1 mA
100
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
150
mV
R1
input resistor
33
47
61
k
Cc
collector capacitance
VCB =10V; IE =ie = 0; f = 1 MHz
2.5
pF
相关PDF资料
PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
PUMH14 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH14,115 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH15 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL DIGITAL SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N/N Transistor,4k7,47k,SOT-363
PUMH15 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH15,115 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel