参数资料
型号: PUMH14
英文描述: 7NS, PDIP, COM TEMP(EPLD)
中文描述: 7ns,塑料双列直插式封装,常温可编程逻辑器件
文件页数: 5/7页
文件大小: 51K
代理商: PUMH14
2003 Oct 16
5
Philips Semiconductors
Product specication
NPN/NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 47 k
, R2 = open
PUMH14
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT363
SC-88
wB
M
bp
D
e1
e
pin 1
index
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
v M A
A
B
y
0
1
2 mm
scale
c
X
13
2
4
5
6
Plastic surface mounted package; 6 leads
SOT363
UNIT
A1
max
bp
cD
E
e1
HE
Lp
Qy
w
v
mm
0.1
0.30
0.20
2.2
1.8
0.25
0.10
1.35
1.15
0.65
e
1.3
2.2
2.0
0.2
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.25
0.15
A
1.1
0.8
97-02-28
相关PDF资料
PDF描述
PUMH15 7NS, SOIC, COM TEMP(EPLD)
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相关代理商/技术参数
参数描述
PUMH14 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH14,115 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH15 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL DIGITAL SOT-363 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N/N Transistor,4k7,47k,SOT-363
PUMH15 T/R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PUMH15,115 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel