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参数资料
| 型号： | PZ1418B30U |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, MEATL CERAMIC, FM-2 |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | PZ1418B30U |
1997 Feb 19
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
PZ1418B30U; PZ1721B25U;
PZ2024B20U
Fig.4
Load power as a function of input power;
typical values for PZ1418B30U.
Class-B operation; V
CC
= 28 V; T
mb
= 25
°
C.
(1) 1.4 GHz.
(2) 1.6 GHz.
(3) 1.8 GHz.
handbook, halfpage
(1)
(2)
(3)
PL
(W)
2
4
6
0
0
Pi (W)
20
MGD984
Fig.5
Load power, efficiency and VSWR as
functions of frequency; typical value
for PZ1418B30U.
Class-B operation; V
CC
= 28 V; T
mb
= 25
°
C; P
i
= 5 W.
handbook, halfpage
1.4
1.5
1.9
30
PL
PL
(W)
50
40
2
VSWR
η
C
(%)
η
C
1
f (GHz)
1.6
1.7
1.8
MGL066
VSWR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PZ1721B25U | NPN microwave power transistors |
| PZ2327B15U | TRANSISTOR | BJT | NPN | 2.1A I(C) | FO-57D |
| PZFJ108 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 80MA I(DSS) | SOT-223 |
| PZFJ109 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 40MA I(DSS) | SOT-223 |
| PZFJ110 | RF inductor, ceramic core, 5% tol, SMT, RoHS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PZ1418B30U,114 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Single NPN 4A 45W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZ15CHEWS | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| PZ15CHEWS_A0_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| PZ15CHEWS_A0_10001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| PZ15CHEWS_A1_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
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