- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录370029 > PZTA28 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PZTA28 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:12; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:12-8 |
| 中文描述： | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | PZTA28 |
M
NPN Darlington Transistor
(continued)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
1
10
20
50
100 150200
0
10
20
30
40
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
T
Vce
Typical Characteristics
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
25 °C
- 40 oC
125 oC
β
= 1000
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 03
1
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P 03
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
C
o
V = 80V
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
112.8
113
113.2
113.4
113.6
113.8
114
114.2
RESISTANCE (k )
B
C
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
2
5
10
15
20
Vce
C
C
f = 1.0 MHz
ob
C
ib
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PZTA29 | Applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500mA |
| 204-10USOC | 3.0mm Round Type LED Lamps |
| 20H04 | 4-PORT USB2.0 HUB CONTROLLER |
| 20N60BD1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
| 20N60B | HiPerFAST IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PZTA29 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| PZTA29_F081 | 功能描述:达林顿晶体管 100V BIP NPN DARLINGTON SOT223 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| PZTA42 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZTA42 T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZTA42,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。