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参数资料
| 型号： | Q67040S4187 |
| 英文描述： | TRANSISTOR MOSFET TO-252 |
| 中文描述： | 晶体管场效应管- 252 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | Q67040S4187 |
SPD 28N05L
Data Sheet
4
06.99
Electrical Characteristics, at
Tj = 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Gate to source charge
VDD = 40 V, ID = 28 A
6
nC
4
Qgs
-
12
Qgd
Gate to drain charge
VDD = 40 V, ID = 28 A
18
Gate charge total
VDD = 40 V, ID = 28 A, VGS = 0 to 10 V
-
32
50
Qg
Gate plateau voltage
VDD = 40 V, ID = 28 A
V(plateau)
4
-
V
-
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
TC = 25 C
IS
-
28
A
Inverse diode direct current,pulsed
TC = 25 C
ISM
-
112
Inverse diode forward voltage
VGS = 0 V, IF = 56 A
VSD
-
1.1
V
1.8
Reverse recovery time
VR = 30 V, IF=IS , diF/dt = 100 A/s
trr
-
60
ns
90
Reverse recovery charge
VR = 30 V, IF=lS , diF/dt = 100 A/s
Qrr
-
C
0.15
0.25
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