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参数资料
| 型号： | Q67040S4187 |
| 英文描述： | TRANSISTOR MOSFET TO-252 |
| 中文描述： | 晶体管场效应管- 252 |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | Q67040S4187 |
SPD 28N05L
Data Sheet
8
06.99
Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter:
ID puls = 28 A
0
10
20
30
40
nC
55
QGate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD28N05L
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Avalanche Energy
EAS = f (Tj)
parameter:
ID = 28 A, VDD = 25 V
RGS = 25
20
40
60
80
100
120
140
C
180
Tj
0
50
mJ
150
E
AS
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
-60
-20
20
60
100
140
C
200
Tj
50
52
54
56
58
60
62
64
V
66
SPD28N05L
V
(BR)DSS
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