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参数资料
| 型号： | Q67040S4187 |
| 英文描述： | TRANSISTOR MOSFET TO-252 |
| 中文描述： | 晶体管场效应管- 252 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | Q67040S4187 |
SPD 28N05L
Data Sheet
7
06.99
Drain-source on-resistance
RDS(on) = f (Tj)
parameter :
ID = 20 A, VGS = 4.5 V
-60
-20
20
60
100
140
C
200
Tj
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.12
0.15
SPD28N05L
R
DS(on)
typ
98%
Gate threshold voltage
VGS(th) = f (Tj)
parameter :
VGS = VDS, ID = 50 A
-60
-20
20
60
100
140
C
200
Tj
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
3.0
V
GS(th)
min
typ
max
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter:
VGS = 0 V, f = 1 MHz
0
10
20
V
40
VDS
2
10
3
10
4
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
Forward characteristics of reverse diode
IF = f (VSD)
parameter:
Tj , tp = 80 s
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
VSD
0
10
1
10
2
10
3
10
A
SPD28N05L
I F
T
j = 25 C typ
T
j = 25 C (98%)
T
j = 175 C typ
T
j = 175 C (98%)
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