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参数资料
| 型号： | QEB421TR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR EMITTING 880NM 2-PLCC T/R |
| 标准包装： | 2,000 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 4mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 880nm |
| 正向电压： | 1.5V |
| 视角： | 120° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-PLCC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
QEB421
SURFACE MOUNT INFRARED
LIGHT EMITTING DIODE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Fig. 1 Normalized Radiant Intensity vs. Forward Current
10
Normalized to:
I F = 100 mA Pulsed
10 2
Fig. 2 Forward Current vs. Forward Voltage
I F Pulsed
tpw = 100 us
1
tpw =100 us
Duty Cycle = 0.1%
T A = 25?C
10 1
Duty Cycle = 0.1%
T A = 25?C
10 0
0.1
10 -1
0.01
10 -2
0.001
1
10
100
1000
10 -3
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IF - FORWARD CURRENT (mA)
Fig.3 Radiation Diagram
3
2
V F - FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 4 Forward Voltage vs. Ambient Temperature
I F Pulsed
t pw = 100 us
Duty Cycle = 0.1%
110
100
90
80
70
I F = 50 mA
I F = 100 mA
130
120
60
50
140
150
160
170
40
30
20
10
1
I F = 20 mA
180
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
1.0
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T A - TEMPERATURE (?C)
Fig. 5 Spectral Response (TBD)
www.fairchildsemi.com
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2/26/01
DS300385
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| QEB441TR | 功能描述:红外发射源 infrared LED SMD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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