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参数资料
| 型号： | QM200DY-24B |
| 厂商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 大功率开关使用绝缘型 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | QM200DY-24B |
Feb.1999
I
r
r
μ
c
S
–
C
t
r
μ
s
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC (DIODE)
7
5
3
2
10
10
2
34
RATED SURGE COLLECTOR REVERSE CURRENT
(DIODE FORWARD SURGE CURRENT)
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE (TYPICAL)
CONDUCTION TIME (CYCLES AT 60Hz)
FORWARD CURRENT
I
F
(A)
TIME (s)
Z
t
°
C
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM200DY-24B
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
–3
10
–2
10
7
–1
10
7
0
10
10
3
10
2
10
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10
2
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–1
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4
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400
800
1200
1600
2000
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0.40
0.32
0.24
0.16
0.08
0
10
7
5
1
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2 3 4 5 7
2 3 4 5 7
2
10
T
j
=25°C
T
j
=125°C
V
CC
=600V
I
B1
=0.4A
–I
B2
=4A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM200DY-2HB | CAP, 10UF, CER, ?20%, Y5V, 10V, 1206 |
| QM200DY-2H | CAP CER 10UF 10V Y5V 1206 |
| QM200DY24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QM200DY2H | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-2H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY2HB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY-H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
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