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参数资料
| 型号： | QM20 |
| 厂商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 中功率开关使用绝缘型 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | QM20 |
Feb.1999
P
P
MAXIMUM POWER DISSIPATION
ALLOWABLE CASE TEMPERATURE
VS. DC OUTPUT CURRENT
DC OUTPUT CURRENT
I
O
(A)
DC OUTPUT CURRENT
I
O
(A)
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM20KD-HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
MAXIMUM FORWARD CHARACTERISTIC
F
I
F
FORWARD VOLTAGE
V
F
(V)
PERFORMANCE CURVES (Converter parts)
S
C
I
F
ALLOWABLE SURGE (NON-REPETITIVE)
FORWARD CURRENT
500
CONDUCTION TIME (CYCLES AT 60H
Z
)
C
T
C
°
C
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
10
2
10
10
7
5
4
3
2
10
7
5
4
3
2
0
100
200
300
400
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T
j
=25°C
100
80
60
40
20
00
8
16
24
32
40
160
140
120
100
80
600
8
16
24
32
40
RESISTIVE, INDUCTIVE LOAD
RESISTIVE, INDUCTIVE LOAD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM20KD-HB | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM300DY-24B | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM300DY-2HB | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM300DY-2H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM300DY24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 300A I(C) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QM200DY24 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-24 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY24B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-24B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY2H | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
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