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参数资料
| 型号： | QS5U26TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U26DKR |
QS5U26
Transistor
Electrical characteristic curves
10
V DS =? 10V
1000
V GS =? 4.5V
1000
V GS =? 4V
1
Pulsed
Pulsed
Pulsed
0.1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
100
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
100
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
0.01
0.001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( ΙΙ )
1000
V GS =? 2.5V
Pulsed
400
350
I D = ? 0.75A
I D = ? 1.5A
Ta = 25 ° C
Pulsed
1000
Ta = 25 ° C
Pulsed
300
100
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
250
200
150
100
V GS =? 2.5V
V GS =? 4.0V
V GS =? 4.5V
100
50
10
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
12
10
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate-Source
Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current ( )
10
V GS = 0V
Pulsed
10000
Ta=25 ° C
f=1MH Z
V GS =0V
1000
Ta=25 ° C
V DD = ? 15V
V GS = ? 4.5V
R G =10 ?
Pulsed
1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta =? 25 ° C
1000
C iss
100
t d(off)
t f
0.1
100
C oss
10
t d(on)
t r
C rss
0.01
0
0.5
1
1.5
2
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : ? V SD (V)
Fig.7 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Current
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS (V)
Fig.8 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.9 Switching Characteristics
Rev.B
3/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| QS5U27TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| QS5U28TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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