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参数资料
| 型号： | QSB320TR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2PLCC TR |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 15mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 200nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 120° |
| 功率 - 最大： | 165mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-PLCC |
QSB320
SURFACE MOUNT SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
10 3
10 2
10 1
10 0
Fig.1 Dark Current Vs. Ambient Temperature
Normalized to:
VCE=25V
TA=25oC
VCE=25V
VCE=10V
10
1
Fig.2 Dark Current Vs. Collector Emitter Voltage
10 -1
40
60
80
100
0.1
0
10
20
30
40
50
60
TA-Ambient Temperature ( C)
10
1
0.1
o
Fig.3 Light Current Vs. Collector to Emitter Voltage
Ee=1mW/cm2
Ee=0.5mW/cm 2
Ee=0.2mW/cm 2
Ee=0.1mW/cm 2
Normalized to:
10
1
V CE -Collector Emitter Voltage (V)
Fig4. Light Current Vs. Ambient Temperature
T A
0.01
V CE =5V
Ee=0.5mW/cm2
=25oC
Normalized to:
V CE =5V
Ee=0.5mW/cm 2 2
0.001
0.1
1
10
0.1
T A =25oC
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V CE -Collector-emitter Voltage (V)
TA-Ambient Temperature ( oC)
www.fairchildsemi.com
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2/26/01
DS300386
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 219-8MST | SWITCH TAPE SEAL 8 POS SMD |
| SH196S36 | MINI-MZR SHLD SKT STR SGL END |
| QSB320 | IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2-PLCC |
| OP804TXV | PHOTOTRANS SILICON NPN TO-18 |
| OP803TXV | PHOTOTRANS SILICON NPN TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB34 | 功能描述:光电二极管 PHOTOSENSOR PIN DIODE SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| QSB34CGR | 功能描述:光电二极管 PHOTOSENSOR.PIN DIODE SMT GULL WING RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| QSB34CZR | 功能描述:光电二极管 PHOTOSENSOR PIN DIODE SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| QSB34GR | 功能描述:光电二极管 120" Reception RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| QSB34GR_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Surface Mount Silicon Pin Photodiode |
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