参数资料
| 型号： | QT60240-ISG QS130 |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 17/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR IC MTRX TOUCH24KEY 32-QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QMatrix™ |
| 类型： | 电容性 |
| 输入数/键： | 24 键 |
| 分辨率（位）： | 10 b |
| 评估套件： | 可供 |
| 数据接口： | I²C，串行，SPI? |
| 电压基准： | 外部 |
| 电源电压： | 1.8V，3.3V，5V |
| 电流 - 电源： | 4.6mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（5x5） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | 427-1126-1 |
7.5 Power Consumption
Table 7.1 Average Current Consumption
Test condition: BL = 48, 16 or 24 keys enabled (see appropriate column)
0.095
0.120
5.0
0.050
0.075
3.3
0.037
0.039
2000
1.8
0.100
0.130
5.0
0.053
0.080
3.3
0.038
0.040
1000
1.8
0.110
0.160
5.0
0.060
0.090
3.3
0.040
0.043
500
1.8
0.160
0.240
5.0
0.100
0.120
3.3
0.048
0.050
250
1.8
0.300
0.400
5.0
0.170
0.220
3.3
0.080
0.090
125
1.8
0.550
0.730
5.0
0.310
0.350
3.3
0.150
0.170
64
1.8
0.910
1.220
5.0
0.540
0.670
3.3
0.250
0.300
32
1.8
1.550
1.900
5.0
0.840
1.050
3.3
0.360
0.480
16
1.8
16 keys
24 keys
Idd Typical (mA)
Sleep
Setting (ms)
Voltage (V)
The formula to find the average current is:
Idd = (current sleeping x sleep period) + (current running x (burst spacing x number of keys enabled))
sleep period + (burst spacing x number of keys enabled)
Idd = (Idds x Tsleep) + (Iddr x (TBS x KE))
Note: there may be more than one inst ance of (TBS x KE)
Tsleep + (TBS x KE)
(see example below)
1 if more than one burst spacing is used then each must be
included in the calculation.
number of keys enabled1
=
KE
(Section 7.4)
burst spacing1 (ms)
=
TBS
(Section 7.3)
current when running (mA)
=
Iddr
(Table 6.2)
sleep period (ms)
=
Tsleep
(Section 7.3)
current when sleeping (mA)
=
Idds
average current (mA)
=
Idd
Where:
Example: Conditions: Vdd = 1.8V, 10 keys BL = 32, 14 keys BL = 16, Tsleep = 125ms
Idd = (0.003 x 125) + (1.02 x ((0.38 x 10) + (0.27 x 14))) = 0.06115mA = 61.15A
125 + ((0.38 x 10) + (0.27 x 14))
lQ
24
QT60240-ISG R8.06/0906
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