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参数资料
| 型号： | R1EX25064ATA00A#S0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 23/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 64K 5MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 3MHz，5MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | R1EX25064ATA00A#S0DKR |
Revision History
R1EX25032Axx00A/R1EX25064Axx00A
Data Sheet
Rev.
Date
Page
Contents of Modification
Description
0.01
0.02
Jan.25, 2008
Jan.14, 2009
?
P1
Initial issue
Features
Endurance cycles change 10 cycles to 1,000k cycles @25 ° C.
6
Data retentions years change 10 years to 100 years @25 ° C.
P3
P4
Capacitance new is described.
Memory cell characteristics new is described.
DC characteristics
Output voltage V OH1, V OH2 test conditions change I oL to I oH.
P5/P6 AC characteristics
Erase/Write endurance is deleted.
Notes1. change Not 100% tested.
Notes3 deleted.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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