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参数资料
| 型号： | R1LV1616HBG-4SI |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit) |
| 中文描述： | 宽温版本16米的SRAM（1 - Mword】16位） |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | R1LV1616HBG-4SI |
R1LV1616HBG-I Series
Rev.1.00, Sep.21.2005, page 9 of 13
Write Cycle (1)
(WE# Clock)
WE#
t
WC
t
AW
t
WP
t
WR
t
CW
t
CW
t
BW
t
AS
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
Valid address
Valid data
CS1#
LB#, UB#
High impedance
CS2
Address
Dout
Din
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1LV1616HBG-5SI | Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit) |
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| R1LV1616RBG-5SR | 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit) |
| R1LV1616RSA-5SI | 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| R1LV1616HBG-5SI#B0 | 功能描述:IC SRAM 16MBIT 50NS 48CSP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| R1LV1616HBG-I | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit) |
| R1LV1616H-I | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword × 16-bit / 2-Mword × 8-bit) |
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