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参数资料
| 型号： | R1RW0416DGE-2PR |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) |
| 中文描述： | 4分高速SRAM（256 - KWord的x 16位） |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | R1RW0416DGE-2PR |
R1RW0416D Series
Rev.1.00, Mar.12.2004, page 11 of 14
Write Timing Waveform (1)
(WE# Controlled)
Address
WE#*
3
t
WC
t
AW
t
AS
t
WR
t
WP
t
WHZ
t
OLZ
t
OW
t
OHZ
t
CW
t
BW
t
DH
t
DW
Valid address
Valid data
CS#*
3
OE#
LB#, UB#
D
OUT
D
IN
High impedance
*
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1RW0416DSB-2LR | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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