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参数资料
| 型号： | R5F5630ADDFB#V0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 62/165页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU RX630 768KB FLASH 144-LQFP |
| 产品培训模块： | RX Compare Match Timer RX DMAC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | RX600 |
| 核心处理器： | RX |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
| 外围设备： | DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 117 |
| 程序存储器容量： | 768KB（768K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 96K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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R01DS0060EJ0100 Rev.1.00
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Sep 13, 2011
RX630 Group
5. Electrical Characteristics
5.12
ROM (Flash Memory for Code Storage) Characteristics
Note 1. Definition of reprogram/erase cycle:
The reprogram/erase cycle is the number of erasing for each block. When the reprogram/erase cycle is n times (n = 1000),
erasing can be performed n times for each block. For instance, when 256-byte programming is performed 16 times for different
addresses in 4-Kbyte block and then the entire block is erased, the reprogram/erase cycle is counted as one. However,
programming the same address for several times as one erasing is not enabled (overwriting is prohibited).
Note 2. This indicates the minimum number that guarantees the characteristics after reprogramming. (The guaranteed value is in the
range from one to the minimum number.)
Note 3. This indicates the characteristic when reprogram is performed within the specification range including the minimum number.
Table 5.29
ROM (Flash Memory for Code Storage) Characteristics
Conditions: VCC = AVCC0 = VCC_USB = 2.7 to 3.6 V, VREFH/VREFH0 = 2.7 V to AVCC0
VSS = AVSS0 = VREFL/VREFL0 = VSS_USB = 0 V
Temperature range for the programming/erasure operation: Ta = Topr
Item
Symbol
FCLK = 4 MHz
20 MHz
≤ FCLK ≤ 50 MHz
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Programming time
NPEC 100 hours
128 bytes
tP128
—
2.8
28
—
1
10
ms
4 Kbytes
tP4K
—
63
140
—
23
50
ms
16 Kbytes
tP16K
—
252
560
—
90
200
ms
Programming time
NPEC > 100 hours
128 bytes
tP128
—
3.4
33.6
—
1.2
12
ms
4 Kbytes
tP4K
—
75.6
168
—
27.6
60
ms
16 Kbytes
tP16K
—
302.4
672
—
108
240
ms
Erasure time
NPEC 100 hours
4 Kbytes
tE4K
—
50
120
—
25
60
ms
16 Kbytes
tE16K
—
200
480
—
100
240
ms
Erasure time
NPEC > 100 hours
4 Kbytes
tE4K
—
60
144
—
30
72
ms
16 Kbytes
tE16K
—
240
576
—
120
288
ms
Reprogram/erase cycle*1
NPEC
1000*2
—
1000*2
——
Times
Suspend delay time during programming
tSPD
—
400
—
120
μs
First suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tSESD1
—
300
—
120
μs
Second suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tSESD2
——
1.7
—
—1.7
ms
Suspend delay time during erasing
(in erasure priority mode)
tSEED
——
1.7
—
—1.7
ms
Data hold time*3
tDRP
10
—
10
—
Year
FCU reset time
tFCUR
35
—
35
—
μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R5F5630ADDFC | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
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| R5F5630ADDFP | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU,RX600,100MHz,768K FLASH,LQFP100 |
| R5F5630ADDFP#V0 | 功能描述:MCU RX630 768KB FLASH 100-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:RX600 产品培训模块:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 标准包装:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心处理器:M32C/80 芯体尺寸:16/32-位 速度:32MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外围设备:DMA，POR，PWM，WDT 输入/输出数:121 程序存储器容量:384KB（384K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振荡器型:内部 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:144-LQFP 包装:托盘 产品目录页面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 |
| R5F5630ADDLC | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
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