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参数资料
| 型号： | R5F5630DCDFC#V0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 53/165页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU RX630 1.5MB FLASH 176LQFP |
| 产品培训模块： | RX Compare Match Timer RX DMAC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | RX600 |
| 核心处理器： | RX |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
| 外围设备： | DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 148 |
| 程序存储器容量： | 1.5MB（1.5M x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 176-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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R01DS0060EJ0100 Rev.1.00
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Sep 13, 2011
RX630 Group
5. Electrical Characteristics
5.5
USB Characteristics
Figure 5.38
DP and DM Output Timing (Full-Speed)
Figure 5.39
Test Circuit (Full-Speed)
Table 5.20
On-Chip USB Full-Speed Characteristics (DP and DM Pin Characteristics)
Conditions: VCC = AVCC0 = VCC_USB = 3.0 to 3.6 V, VREFH/VREFH0 = 3.0 V to AVCC0
VSS = AVSS0 = VREFL/VREFL0 = VCC_USB = 0 V
PCLK = 24 to 50 MHz
Ta = Topr
High drive output is selected by the drive capacity control register.
Item
Symbol
Min.
Max.
Unit
Test Conditions
Input
characteristics
Input high level voltage
VIH
2.0
—
V
Input low level voltage
VIL
—0.8
V
Differential input sensitivity
VDI
0.2
—
V
| DP – DM |
Differential common mode range
VCM
0.8
2.5
V
Output
characteristics
Output high level voltage
VOH
2.8
3.6
V
IOH = –200 A
Output low level voltage
VOL
0.0
0.3
V
IOL = 2 mA
Cross-over voltage
VCRS
1.3
2.0
V
Rise time
tLr
420
ns
Fall time
tLf
420
ns
Rise/fall time ratio
tLr / tLf
90
111.11
%
tLr / tLf
Output resistance
ZDRV
28
44
Rs = 22
included
DP, DM
tLf
tLr
90%
10%
90%
VCRS
Observation
point
22
22
50 pF
dp
dm
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