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参数资料
| 型号： | RB055L-40TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 334K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 3A 2PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 40V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB055L-40TE25DKR |
             www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB055L-40 0 5 10 15 20 25 30 AVE:8.20ns Ta=25℃ IF=0.5A IR=1A Irr=0.25*IR n=10pcs 0 50 100 150 200 250 300 AVE:117.2A 8.3ms Ifsm 1cyc 0.1 1 10 100 1000 10000 0 100 200 300 400 500 600 700 Ta=150℃ Ta=-25℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:IF(mA) REVERSE CURRENT:IR(uA) REVERSE VOLTAGE：VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:VF(mV) REVERSE CURRENT:IR(uA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) 10 NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT:IFSM(A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) FORWARD POWER DISSIPATION:Pf(W) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT：Io(A) Io-Pf CHARACTERISTICS trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) Ta=25℃Ta=25℃ VR=30V VR=40V n=30pcs AVE:6.62uAAVE:8.172uA σ:1.9469uA 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 0 10203040 Ta=150℃ Ta=125℃ Ta=75℃ Ta=25℃ Ta=-25℃ 1 10 100 1000 0 102030 f=1MHz 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 AVE:329.5pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 n=30pcs 530 540 550 560 570 580 AVE:559.6mV Ta=25℃ IF=3A n=30pcs 10 100 1000 1 100 8.3ms 8.3ms Ifsm 1cyc 0 50 100 150 200 250 1 10 100 t Ifsm 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 00.511.522.533.544.55 Io-Pf CHARACTERISTICS Sin(θ＝180) DC D=1/2 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-a) Rth(j-c) Mounted on epoxy board 1ms IM=100mA IF=1A 300us time 2/3 2011.04 - Rev.A |
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PDF描述 |
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