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参数资料
| 型号： | RB162L-40TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 513K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 40V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB162L-40TE25DKR |
          Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky Barrier Diode RB162L-40 ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) General rectification ?Features 1)Small power mold type. (PMDS) 2)High reliability. ?Structure Silicon epitaxial planer ?Absolute maximum ratings (Ta=25 ?C) Parameter LimitsSymbol Unit Reverse voltage (repetitive) 40VRM V Reverse voltage (DC) 40VR V Io A1 IFSM A Junction temperature 150Tj ?C Tstg ?C ?Electrical characteristics (Ta=25 ?C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Forward voltage VF - - 0.55 V IF=1.0A Reverse current IR - - 0.1 mA VR=40V (*1)Mounted on glass epoxy board Parameter Conditions Storage temperature ?40 to ?150 Average rectified forward current (*1) Forward current surge peak (60Hz?1cyc) 20 ?Taping dimensions (Unit : mm) PMDS 2.0 4.2 2.0 ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② ① ② 2 4 0.1±0.02 0.1 2.6±0.2 2.0±0.2 5.0±0.3 1.2±0.3 4.5±0.2 1.5±0.2 Manufacture Date 4.0±0.1 2.9±0.1 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.05 5.5±0.05 1.75±0.1 12±0.2 φ1.55 9.5±0.1 0.3 5.3±0.1 0.05 2.8MAX 1/4 2011.12 - Rev.A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB162L-60TE25 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| RB162M-30 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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