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参数资料
| 型号： | RB162M-60TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 289K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 60V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB162M-60TDKR-ND RB162M-60TRDKR RB162M-60TRDKR-ND |
         Datasheet www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky Barrier Diode RB162M-60 lApplication lDimensions (Unit : mm) lLand size figure (Unit : mm) General rectification lFeatures 1) Small power mold type.(PMDU) 2) Low IR 3) High reliability lStructure lConstruction Silicon epitaxial planar lTaping specifications (Unit : mm) lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Reverse voltage (repetitive) VRM V Reverse voltage (DC) VR V Average rectified forward current (*1) Io A IFSM A Junction temperature Tj °C Storage temperature Tstg °C (*1)Mounting on glass epoxi board Tc=90°C max. Symbol Min. Typ. Max. Unit Forward voltage VF - - 0.65 V IF=1A Reverse current IR - - 100 mA VR=60V Unit 60 Conditions 1 20 150 -40 to +150 lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter 60 Forward current surge peak (60Hz?1cyc) Parameter Symbol Limits ROHM : PMDU JEDEC :SOD-123 Manufacture Date 0.9±0.1 1.6±0.1 2.6±0.1 3.5±0.2 0.8±0.1 0.1±0.1 0.05 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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