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参数资料
| 型号： | RB162M-60TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 289K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 60V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB162M-60TDKR-ND RB162M-60TRDKR RB162M-60TRDKR-ND |
        www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB162M-60 0.01 0.1 1 0 200 400 600 Tj=125°C Tj=25°C Tj=150°C Tj=75°C FORWARD VOLTAGE:VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT:I F (A) 0.1 1 10 100 1000 10000 100000 0 20 40 60 Tj=150°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=75°C REVERSE CURRENT:I R ( m A) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS 1 10 100 1000 0 10 20 30 f=1MHz CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS 460 480 500 520 540 560 AVE:515.2mV Tj=25°C IF=1A n=20pcs VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE:V F (mV) 1 10 100 Tj=25°C VR=60V n=20pcs AVE:6.0uA REVERSE CURRENT:I R ( m A) IR DISPERSION MAP 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 AVE:168.0pF Tj=25°C f=1MHz VR=0V n=10pcs CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) Ct DISPERSION MAP 2/4 2012.12 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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