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参数资料
| 型号： | RB162M-60TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 289K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 60V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | PMDU |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB162M-60TDKR-ND RB162M-60TRDKR RB162M-60TRDKR-ND |
         www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB162M-60 0 20 40 60 80 100 AVE:61.6A 8.3ms IFSM 1cyc IFSM DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) 0 10 20 30 AVE:11.6ns Tj=25°C IF=0.1A IR=0.1A Irr=0.1*IR n=10pcs trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns) 1 10 100 1000 1 10 100 8.3ms IFSM 1cyc. 8.3ms PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS 1 10 100 1000 1 10 100 time IFSM PEAK SURGE FORWARD CURRENT:I FSM (A) TIME:t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS 0 5 10 15 20 25 30 No break at 30kV AVE:5.0kV C=200pF R=0W C=100pF R=1.5kW ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-l) TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE:Rth ( ° C /W) Rth(j-a) On glass-epoxy substrate soldering land 6mm×6mm Rth(j-a) On glass-epoxy substrate soldering land 2mm×0.85mm 3/4 2012.12 - Rev.B |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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