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参数资料
| 型号： | RB162L-60TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 285K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 60V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB162L-60TE25DKR |
     Datasheet www.rohm.com ? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky Barrier Diode RB162L-60 lApplication lDimensions (Unit : mm) lLand size figure (Unit : mm) General rectification lFeatures 1) Small power mold type. (PMDS) 2) High switching speed lStructure 3) Low forward voltage lConstruction lTaping specifications (Unit : mm) Silicon epitaxial planar lAbsolute maximum ratings (Tl = 25°C) Repetitive peak reverse voltage VRM V D?0.5 Reverse voltage VR V Direct voltage Junction temperature Tj °C Storage temperature Tstg °C Symbol Min. Typ. Max. Unit Forward voltage VF - 0.54 V IF=1.0A Reverse current IR - 4.0 mA VR=60V Unit A A Limits 60 60 1.0 20 Conditions Parameter lElectrical characteristics (Tj = 25°C) Symbol Average rectified forward current Forward current surge peak Io IFSM Parameter Conditions Glass epoxy substrate mounted R-road, 60Hz half sin wave 60Hz half sin wave, Non-repetitive one cycle peak value, Tj=25°C 150 -40 to +150 |
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PDF描述 |
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