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参数资料
| 型号： | RB162L-60TE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 285K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDS |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 60V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB162L-60TE25DKR |
       www.rohm.com ? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RB162L-60 lElectrical characteristic curves 0 10 20 30 AVE : 11.6ns Tj=25°C IF=0.1A IR=0.1A Irr=0.1*IR n=10pcs 0 20 40 60 80 100 120 AVE : 80.8A 1 10 100 Tj=25°C VR=60V n=20pcs AVE : 6.0mA 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 AVE : 168.0pF Tj=25°C f=1MHz VR=0V n=10pcs REVERSE CURRENT : I R ( m A) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS : Ct(pF) Ct DISPERSION MAP PEAK SURGE FORWARD CURRENT : I FSM (A) IFSM DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns) trr DISPERSION MAP 8.3ms IFSM 1cyc. 3/5 2013.09 - Rev.B |
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PDF描述 |
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