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参数资料
| 型号： | RB215T-60 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 323K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220FN |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | TO-220FN |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 500 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 580mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 600µA @ 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FN |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB215T-60
?Electrical characteristics curves
0
5
10
15
20
25
30
AVE:23.3ns
Ta=25?C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
0.01
0.1
1
10
0 100 200 300 400 500 600
Ta=150?C
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
1000000
0 102030405060
Ta=150?C
Ta=125?C
Ta=75?C
Ta=25?C
Ta=-25?C
1
10
100
1000
10000
0 5 10 15 20 25 30
f=1MHz
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
AVE:140.7uA
490
500
510
520
530
540
AVE:515.0mV
Ta=25?C
IF=10A
n=30pcs
1
10
100
1000
110100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
50
100
150
200
250
300
AVE:166.0A
8.3ms
Ifsm
1cyc
10
100
1000
1101000.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
t
Ifsm
0
10
20
30
0 10203040
DC
D=1/2
Sin(?=180)
0.1
1
10
100
Rth(j-a)
Rth(j-c)
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(A)
REVERSE CURRENT:I
R
(uA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
REVERSE CURRENT:I
R
(uA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (
?
C/W)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
Ta=25?C
VR=30V
n=30pcs
Ta=-25?C
Ta=125?C
Ta=75?C
Ta=25?C
1500
1600
1700
1800
1900
2000
AVE:1704.1pF
Ta=25?C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
1ms
IM=100mA
IF=5A
300us
time
Mounted on epoxy board
IFSM
DISPERSION MAP
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2011.04 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB215T-90 | DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220FN |
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| RB228T100 | DIODE ARR SCHOTTKY 100V TO220FN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB215T-60_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB215T-60_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB215T-90 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 90V 20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| RB215T-90_10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RB215T-90_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
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