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参数资料
| 型号： | RCX120N25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
RCX120N25
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient
Soldering temperature, wavesoldering for 10s
Symbol
R thJC
R thJA
T sold
Min.
-
-
-
Values
Typ.
-
-
-
Max.
3.125
56
265
Unit
°C/W
°C/W
°C
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source breakdown voltage
Zero gate voltage
drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Symbol
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
V GS (th)
Conditions
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = 250V, V GS = 0V
T j = 25°C
V DS = 250V, V GS = 0V
T j = 125°C
V GS = ? 30V, V DS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
Min.
250
-
-
-
3.0
Values
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
-
10
100
? 100
5.0
Unit
V
m A
nA
V
V GS = 10V, I D = 6.0A
-
180
235
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *4 V GS = 10V, I D = 6.0A
T j = 125°C
-
340
480
m W
Forward transfer admittance
g fs
V DS = 10V, I D = 6.0A
3.25
6.50
-
S
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/12
2013.02 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCX330N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM |
| RD3965MMA7660FC | ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC |
| RDD020N60TL | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| RF266PC1 | RF MODULE 2.4GHZ CHIP |
| RFD12N06RLE | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RCX160N20 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| RCX330N25 | 功能描述:MOSFET Nch 250V 33A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RCX450N20 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| RCX510N25 | 功能描述:MOSFET Nch 250V 51A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RCY15-5000 | 制造商:SMC Corporation of America 功能描述:SWITCH RAIL |
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