型号: | RFD12N06RLE |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 1/10页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
标准包装: | 75 |
系列: | UltraFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 63 毫欧 @ 18A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 485pF @ 25V |
功率 - 最大: | 49W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
供应商设备封装: | I-Pak |
包装: | 管件 |