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参数资料
| 型号： | RFD12N06RLE |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 63 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 485pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 49W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
RFD12N06RLESM
Typical Performance Curves
1.2
1.0
20
0.8
15
V GS = 10V
0.6
10
V GS = 4.5V
0.4
5
0.2
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
200
100
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I 25
175 - T C
150
V GS = 5V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
10
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RFD12N06RLESM Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD14N05SM9A | MOSFET N-CH 50V 14A DPAK |
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| RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
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| RFP14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFD12N06RLE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC I-PAK |
| RFD12N06RLESM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:49W ;RoHS Compliant: Yes |
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| RFD14LN05SM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFD14N05 | 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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