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参数资料
| 型号： | RFD12N06RLE |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 63 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 485pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 49W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
RFD12N06RLESM
SPICE Thermal Model
REV 10 September 1999
HUF76409T
CTHERM1 th 6 9.50e-4
CTHERM2 6 5 2.40e-3
CTHERM3 5 4 3.90e-3
CTHERM4 4 3 4.10e-3
CTHERM5 3 2 5.60e-3
CTHERM6 2 tl 4.00e-2
RTHERM1 th 6 2.00e-2
RTHERM2 6 5 1.10e-1
RTHERM3 5 4 2.75e-1
RTHERM4 4 3 5.53e-1
RTHERM5 3 2 7.25e-1
RTHERM6 2 tl 7.56e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF76409T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 9.50e-4
ctherm.ctherm2 6 5 = 2.40e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 3.90e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 4.10e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 5.60e-3
ctherm.ctherm6 2 tl = 4.00e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 2.00e-2
rtherm.rtherm2 6 5 = 1.10e-1
rtherm.rtherm3 5 4 = 2.75e-1
rtherm.rtherm4 4 3 = 5.53e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 7.25e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 7.56e-1
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
RFD12N06RLESM Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD14N05SM9A | MOSFET N-CH 50V 14A DPAK |
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| RFD16N06LESM9A | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK |
| RFP12N10L | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB |
| RFP14N05L | MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFD12N06RLE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC I-PAK |
| RFD12N06RLESM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:49W ;RoHS Compliant: Yes |
| RFD12N06RLESM9A | 功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RFD14LN05SM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| RFD14N05 | 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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