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参数资料
| 型号： | RCX120N25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
RCX120N25
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Data Sheet
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
C iss
C oss
C rss
t d(on) *4
t r *4
t d(off) *4
t f *4
Conditions
V GS = 0V
V DS = 25V
f = 1MHz
V DD ? 125V, V GS = 10V
I D = 6.0A
R L = 20.83 W
R G = 10 W
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
1800
100
60
33
65
45
20
Max.
-
-
-
-
-
-
-
Unit
pF
ns
l Gate Charge characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Symbol
Q g *4
Q gs *4
Conditions
V DD ? 125V
I D = 12A
Min.
-
-
Values
Typ.
35
15
Max.
-
-
Unit
nC
Gate - Drain charge
Q gd
*4
V GS = 10V
-
12
-
Gate plateau voltage
V (plateau)
V DD ? 125V, I D = 12A
-
7.6
-
V
l Body diode electrical characteristics (Source-Drain)(T a = 25°C)
Parameter
Continuous source current
Pulsed source current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Symbol
I S *1
I SM *2
V SD *4
t rr *4
Q rr *4
Conditions
T c = 25°C
V GS = 0V, I S = 12A
I S = 6.0A
di/dt = 100A/ m s
Min.
-
-
-
-
-
Values
Typ.
-
-
-
105
410
Max.
12
48
1.5
-
-
Unit
A
A
V
ns
nC
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 L ? 500 m H, V DD = 50V, Rg = 25 W , starting T j = 25°C
*4 Pulsed
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.02 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCX330N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM |
| RD3965MMA7660FC | ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC |
| RDD020N60TL | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| RF266PC1 | RF MODULE 2.4GHZ CHIP |
| RFD12N06RLE | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RCX160N20 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| RCX330N25 | 功能描述:MOSFET Nch 250V 33A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RCX450N20 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| RCX510N25 | 功能描述:MOSFET Nch 250V 51A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RCY15-5000 | 制造商:SMC Corporation of America 功能描述:SWITCH RAIL |
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