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参数资料
| 型号： | RCX330N25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
RCX330N25
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Data Sheet
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
C iss
C oss
C rss
t d(on) *4
t r *4
t d(off) *4
t f *4
Conditions
V GS = 0V
V DS = 25V
f = 1MHz
V DD ? 125V, V GS = 10V
I D = 16.5A
R L = 7.6 W
R G = 10 W
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
4500
220
130
50
200
120
140
Max.
-
-
-
-
-
-
-
Unit
pF
ns
l Gate Charge characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Symbol
Q g *4
Q gs *4
Conditions
V DD ? 125V
I D = 33A
Min.
-
-
Values
Typ.
80
25
Max.
-
-
Unit
nC
Gate - Drain charge
Q gd
*4
V GS = 10V
-
27
-
Gate plateau voltage
V (plateau)
V DD ? 125V, I D = 33A
-
6.6
-
V
l Body diode electrical characteristics (Source-Drain)(T a = 25°C)
Parameter
Continuous source current
Pulsed source current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Symbol
I S *1
I SM *2
V SD *4
t rr *4
Q rr *4
Conditions
T c = 25°C
V GS = 0V, I S = 33A
I S = 16.5A
di/dt = 100A/ m s
Min.
-
-
-
-
-
Values
Typ.
-
-
-
145
670
Max.
33
132
1.5
-
-
Unit
A
A
V
ns
nC
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 L ? 500 m H, V DD = 50V, Rg = 25 W , starting T j = 25°C
*4 Pulsed
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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