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参数资料
| 型号： | RCX330N25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
RCX330N25
l Electrical characteristic curves
Fig.4 Avalanche Current vs Inductive Load
100
V DD =50V,R G =25 W
V GF =10V,V GR =0V
Starting T ch =25oC
10
Data Sheet
Fig.5 Avalanche Energy Derating Curve
vs Junction Temperature
120
100
80
60
40
20
1
0.01
0.1
1
10
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Coil Inductance : L [mH]
Fig.6 Typical Output Characteristics(I)
Junction Temperature : T j [ ° C]
Fig.7 Typical Output Characteristics(II)
5
4
3
T a =25oC
Pulsed
V GS =10.0V
V GS =8.0V
V GS =7.0V
V GS =6.5V
30
25
20
15
V GS =10.0V
V GS =8.0V
T a =25oC
Pulsed
V GS =7.0V
2
V GS =6.0V
10
1
V GS =5.0V
V GS =5.5V
5
V GS =6.0V
V GS =6.5V
V GS =5.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Drain - Source Voltage : V DS [V]
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/12
2013.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD3965MMA7660FC | ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC |
| RDD020N60TL | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| RF266PC1 | RF MODULE 2.4GHZ CHIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| RCX510N25 | 功能描述:MOSFET Nch 250V 51A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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