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参数资料
| 型号： | RF04UA2DTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 408K |
| 描述： | DIODE FAST REC 200V 0.4A SOT-457 |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-457 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 980mV @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 400mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TSMD6 |
| 供应商设备封装： | TSMD6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RF04UA2DDKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RF04UA2D
?Series
?Dimensions (Unit : mm)
?Land size figure
(Unit : mm)
Standard Fast Recovery
?Applications
High frequency rectification
?Features
?Structure
?Taping dimensions (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25?C)
Symbol
VRM
Reverse voltage Direct voltage 200 VVR
Tj
Tstg
(* Standard of per diode)
?Electrical characteristics (Tj=25?C)
Symbol
Unit
Forward voltage
VF
V
Reverse current
IR
?A
Reverse recovery time trr
ns
Parameter
Storage temperature
-40 to +150
?C
A
one cycle peak value, Tj=25?C
Junction temperature
150
?C
Forward current surge peak
IFSM
60Hz half sin wave, Non-repetitive
1
0.4 A
60Hz half sin wave,resistive load
Tc=130?C
Average rectified forward current Io/2
Glass epoxy substrate mounted
Ta=25?C
Limits Unit
Repetitive peak Reverse voltage
200
V
Parameter
Conditions
10
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR
－
11 25
VR=200V
－
0.01
Max.
IF=0.2A
－
0.86 0.98
Conditions Min. Typ.
2)High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planer
1)Surface mounting type (TSMD6)
TSMD6
0.8
1.0 min.
0.45
0.35
1.9
0.7
0.95
0.35
0.45
2.4
0.95
1.1±0.08
3.2±0.08
0.3±0.1
3.2±0.08
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ1.1±0.1
3.2±0.08
0～0.5
5.5±0.2
(1) (2) (3)
(6) (5) (4)
1/3
2011.05 - Rev.A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| RF-0505DH | 制造商:RECOM 制造商全称:Recom International Power 功能描述:ECONOLINE - DC/DC - CONVERTER |
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