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参数资料
| 型号： | RF04UA2DTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 408K |
| 描述： | DIODE FAST REC 200V 0.4A SOT-457 |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-457 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 980mV @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 400mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TSMD6 |
| 供应商设备封装： | TSMD6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RF04UA2DDKR |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RF04UA2D
?Electrical characteristics curves
1
10
100
1000
10000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
On glass-epoxy board
1ms
IM=10mA IF=1A
300?s
time
0
5
10
15
20
25
30
AVE : 21.9kV
C=100pF
R=1.5k?
C=200pF
R=0?
AVE : 3.9kV
1
10
100
1000
1 10 100
t
Ifsm
1
10
100
1000
1 10 100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
25
30
AVE:10.2ns
Tj=25°C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25×IR
n=10pcs
0
10
20
30
AVE:10.2A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
10
20
30
AVE:10.9pF
Tj=25°C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0.1
1
10
100
1000
830
840
850
860
870
880
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
f=1MHz
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0
1
10
100
1000
10000
0 50 100 150 200
Tj=25?C
Tj=125?C
Tj=75?C
Tj=150?C
0.01
0.1
1
10
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3
FORWARD VOLTAGE : VF(V)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT : I
F
(A)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE : V
F
(mV)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS :
Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM
DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (
?
C/W)
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns)
Tj=25?C
VR=200V
n=30pcs
AVE:1.3nA
AVE : 851.3mV
Tj=25?C
IF=0.2A
n=30pcs
Tj=125?C
Tj=25?C
Tj=150?C
Tj=75?C
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2011.05 - Rev.A
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