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参数资料
| 型号： | RF08L6STE25 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 352K |
| 描述： | DIODE FAST REC 600V 0.8A SOD-106 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 800mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 800mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 70ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | PMDS |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RF08L6STE25DKR |
           Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Super Fast Recovery Diode RF08L6S ?Series ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) Standard Fast Recovery ?Applications General rectification ?Features 1)Small power mold type.（PMDS） ?Structure 2)high switching speed 3)Low forward voltage ?Construction Silicon epitaxial planar ?Taping dimensions (Unit : mm) ?Absolute maximum ratings (Tl=25°C) Symbol Limits UnitConditions VRM 600 V VR 600 V Average rectified forward current Io 0.8 AGlass epoxy substrate mounted Ta=25°C Tl=100°C Tj 150 °C Tstg ?55 to ?150 °C ?Electrical characteristic (Tj=25°C) Parameter ConditionsSymbol Min. Typ. Max. Unit IR － 0.01 10 μA trr － 50 70 ns Thermal Resistance Rth(j-l) －－23 °C/W Reverse voltage Repetitive peak Reverse voltage Parameter 20 Direct voltage D≦0.5 A Forward current surge peak IFSM 60Hz half sin wave, Non-repetitive one cycle peak value, Tj=25°C Storage temperature Junction temperature Reverse recovery time V Reverse current － 1 1.3 Forward voltage VF junction to lead IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR VR=600V IF=0.8A ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② 0.1±0.02 0.1 2.6±0.2 2.0±0.2 5.0±0.3 1.2±0.3 4.5±0.2 1.5±0.2 Manufacture date PMDS 2.0 4.2 2.0 4.0±0.1 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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