参数资料
型号: RF08L6STE25
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 352K
描述: DIODE FAST REC 600V 0.8A SOD-106
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 800mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 800mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 70ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 600V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商设备封装: PMDS
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RF08L6STE25DKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RF08L6S
 
1
10
100
1000
110100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
10
100
1000
110100C=200pFR=0Ω
t
Ifsm
0.1
1
10
100
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
0.1
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-l)
1m
IM=10mA IF=100mA
300us
time
On Glass Epoxi Board
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(A)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM
DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
f=1MHz
Tj=25℃
VR=600V
n=30pcs
AVE:7.35nA
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0
5
10
15
20
25
30
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE:2.70kV
AVE:9.80kV
900
950
1000
1050
1100
AVE:999.5mV
IF=0.8A
Tj=25℃
n=30pcs
30
35
40
45
50
55
60
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
Tj=25℃
AVE:48.8ns
30
40
50
60
f=1MHz
VR=0V
Tj=25℃
AVE:44.2pF
0
20
40
60
80
AVE:49.4A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0.1
1
10
100
1000
10000
0 100 200 300 400 500 600
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=25℃
Tj=75℃
0.001
0.01
0.1
1
10
0 500 1000 1500 2000
Tj=125℃
Tj=150℃
Tj=25℃
Tj=75℃
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (
/W)
2/3
2011.05 - Rev.A
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