参数资料
型号: RF2001NS3DTL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 532K
描述: DIODE ARRAY 300V 20A D2PAK
产品目录绘图: D2PAK
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 20A
电压 - (Vr)(最大): 300V
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: LPDS
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RF2001NS3DTLDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RF2001NS3D
 
0.1
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=75°C
per diode
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(A)
1
10
100
1000
10000
100000
0
50
100
150
200
250
300
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=75°C
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
per diode
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
f=1MHz
per diode
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
AVE:1163mV
IF=10A
Tj=25°C
per diode
1
10
100
REVERSE CURRENT:I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
AVE:46.7nA
VR=300V
Tj=25°C
per diode
180
200
220
240
AVE:207.8pF
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
f=1MHz
VR=0V
Tj=25°C
per diode
2/4
2011.10
- Rev.A
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