参数资料
型号: RF2001NS3DTL
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 532K
描述: DIODE ARRAY 300V 20A D2PAK
产品目录绘图: D2PAK
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 20A
电压 - (Vr)(最大): 300V
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: LPDS
包装: 标准包装
产品目录页面: 1648 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RF2001NS3DTLDKR
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RF2001NS3D
 
0
50
100
150
200
250
300
AVE:167.5A
8.3ms
IFSM
1cyc
IFSM
DISPERSION MAP
ITS ABILITY OF PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
0
5
10
15
20
25
30
AVE:16.9ns
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25×IR
Tj=25°C
per diode
1
10
100
1000
1
10
100
8.3ms
IFSM
1cyc
8.3ms
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
10
100
1000
1
10
100
t
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
C=200pF
R=0Ω
No break at 30kV
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE:29.8kV
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-c)
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
3/4
2011.10
- Rev.A
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