参数资料
型号: RFP3055LE
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB
标准包装: 400
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 107 毫欧 @ 8A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 38W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
RFD3055LE, RFD3055LESM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
t ON
t OFF
V DS
V DS
t d(ON)
90%
t r
t d(OFF)
t f
90%
V GS
R L
DUT
+
-
V DD
0
10%
90%
10%
R GS
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
FIGURE 18. SWITCHING TEST CIRCUIT
V DS
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
R L
V DD
V DS
Q g(TOT)
V GS = 20V
V GS
+
Q g(10) OR Q g(5)
V GS = 10V FOR
L 2 DEVICES
I g(REF)
DUT
-
V DD
V GS
V GS = 2V
0
V GS = 1V FOR
L 2 DEVICES
V GS = 10V
V GS = 5V FOR
L 2 DEVICES
Q g(TH)
I g(REF)
0
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
RFD3055LE, RFD3055LESM Rev. C0
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PDF描述
RFP50N06 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
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