- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录142 > RFUS20TF6S (Rohm Semiconductor)DIODE FAST REC 600V 20A TO220N-2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RFUS20TF6S |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 325K |
| 描述： | DIODE FAST REC 600V 20A TO220N-2 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.8V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220NFM |
| 包装： | 管件 |
               www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Data Sheet RFUS20TF6S ?Electrical characteristic curves 0.1 1 10 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Rth(j-c) 10 100 1000 1 10 100 time IFSM 10 15 20 25 30 35 40 AVE : 26.1ns Tｊ=25?C IF=0.5A IR=1A Irr=0.25×IR n=10pcs 0 50 100 150 200 250 300 AVE : 156A 8.3ms IFSM 1cyc 0.1 1 10 100 0 1000 2000 3000 4000 1 10 100 1000 FORWARD VOLTAGE：VF(mV) VF-IF CHARACTERISTICS FORWARD CURRENT : I F (A) REVERSE CURRENT : I R (nA) REVERSE VOLTAGE : VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS : Ct(pF) REVERSE VOLTAGE : VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS VF DISPERSION MAP FORWARD VOLTAGE : V F (mV) REVERSE CURRENT : I R (nA) IR DISPERSION MAP CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS : Ct(pF) Ct DISPERSION MAP IFSM DISRESION MAP ITS ABILITY OF PEAK SURGE FORWARD CURRENT : I FSM (A) PEAK SURGE FORWARD CURRENT : I FSM (A) NUMBER OF CYCLES IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS PEAK SURGE FORWARD CURRENT : I FSM (A) TIME : t(ms) IFSM-t CHARACTERISTICS TIME : t(s) Rth-t CHARACTERISTICS TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE : Rth ( ? C/W) trr DISPERSION MAP REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns) 1 10 100 1000 10000 100000 0 50 100 150 200 250 300 350 Tj=125?C Tj=25?C Tj=150?C Tj=75?C 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 f=1MHz Tj=25?C 400 405 410 415 420 425 430 435 440 445 450 AVE : 415.9pF Ta=25?C f=1MHz VR=0V n=10pcs Tｊ=25?C VR=600V n=20pcs AVE : 61.8nA 1900 2000 2100 2200 2300 2400 2500 AVE : 2113mV Tｊ=25?C IF=20A n=20pcs 1 10 100 1000 1 10 100 8.3ms IFSM 1cyc. 8.3ms ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST ESD(KV) ESD DISPERSION MAP 0 3 6 9 12 15 C=200pF R=0? AVE : 11.0kV C=100pF R=1.5k? AVE : 1.20kV Tj=125?C Tj=25?C Tj=150?C Tj=75?C 2/3 2011.06 - Rev.A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFUS20TM4S | DIODE FAST REC 430V 20A TO220N-3 |
| RFUS20TM6S | DIODE FAST REC 600V 20A TO220N-3 |
| RFX10TF6S | DIODE FAST REC 600V 10A TO220N-2 |
| RGF1B | DIODE GPP FAST 1A 100V DO-214AC |
| RGP02-20EHE3/54 | DIODE GPP 0.5A 2000V 300NS DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RFUS20TM4S | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SWITCH 430V 20A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RFUS20TM4S_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Super Fast Recovery Diode |
| RFUS20TM6S | 功能描述:DIODE FAST REC 600V 20A TO220N-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| RFUS20TM6S_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Super Fast Recovery Diode |
| RFUS2418BK1 | 功能描述:机架和机柜配件 FIXED SOLID SHELF 18" DEEP RoHS:否 制造商:Bivar 产品:Rack Accessories 面板空间: 颜色:Black |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。