型号: | RMW200N03TB |
厂商: | Rohm Semiconductor |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSF N CH 30V 20A PSOP8 |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.2 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1780pF @ 15V |
功率 - 最大: | 3W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装: | 8-PSOP |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | RMW200N03TBDKR |