参数资料
型号: RMW200N03TB
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 7/7页
文件大小: 0K
描述: MOSF N CH 30V 20A PSOP8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1780pF @ 15V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-PSOP
包装: 标准包装
其它名称: RMW200N03TBDKR
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R1120 A
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PDF描述
RMW280N03TB MOSF N CH 30V 28A PSOP8
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参数描述
RMW-25/8/ADH-0-18IN 制造商:TE Connectivity 功能描述:
RMW-25/8-1200/ADH-0 功能描述:HEAT SHRINK TUBING RoHS:是 类别:线缆,导线 - 管理 >> 热缩管 系列:RMW MSDS 材料安全数据表:HSTT,HSTTA,HSTTV, HSTTVA Series MSDS 标准包装:1 系列:HSTTV 类型:套管,弹性 收缩比率:2 至 1 长度:1000' (304.8m) 内径 - 提供:0.063"(1.6mm) 内径 - 恢复:0.031"(0.8mm) 已恢复的墙壁厚度:0.017"(0.43mm) 材质:聚烯烃 特点:阻燃 颜色:白
RMW-25/8-1200/U-0 功能描述:HEAT SHRINK TUBING RoHS:是 类别:线缆,导线 - 管理 >> 热缩管 系列:RMW MSDS 材料安全数据表:HSTT,HSTTA,HSTTV, HSTTVA Series MSDS 标准包装:1 系列:HSTTV 类型:套管,弹性 收缩比率:2 至 1 长度:1000' (304.8m) 内径 - 提供:0.063"(1.6mm) 内径 - 恢复:0.031"(0.8mm) 已恢复的墙壁厚度:0.017"(0.43mm) 材质:聚烯烃 特点:阻燃 颜色:白
RMW280N03 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4.5V Drive Nch MOSFET
RMW280N03TB 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube