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参数资料
| 型号： | RQ1A070ZPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 58nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RQ1A070ZP
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 10V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 12
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.3
?
?
?
?
12
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
8
11
15
19
?
7400
800
750
35
95
310
190
58
11
10
? 1
? 1.0
12
16
23
38
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 12V, V GS = 0V
V DS = ? 6V, I D = ? 1mA
I D = ? 7A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 3.5A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 3.5A, V GS = ? 1.8V
I D = ? 1.4A, V GS = ? 1.5V
V DS = ? 6V, I D = ? 7A
V DS = ? 6V
V GS = 0V
f = 1MHz
V DD ? 6V
I D = ? 3.5A
V GS = ? 4.5V
R L 1.7 ?
R G = 10 ?
V DD ? 6V
I D = ? 7A
V GS = ? 4.5V
R L 0.86 ? / R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 7A, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.08 - Rev.A
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PDF描述 |
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