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参数资料
| 型号： | RQ1E050RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TSMT8 |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RQ1E050RP
Pch -30V -5A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
- 30V
31m W
TSMT8
(8)
(7)
(6)
(5)
l Features
I D
P D
- 5A
1.5W
l Inner circuit
(1)
(2)
(3)
(4)
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT8).
(1) Source
(2) Source
(3) Source
(4) Gate
(5) Drain
(6) Drain
(7) Drain
(8) Drain
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TR
UD
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
- 30
? 5
? 20
? 20
1.5
0.55
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W
W
°C
°C
2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRH040P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 |
| RRH050P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
| RRH075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
| RRH100P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| RRH140P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RQ1E070RP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RQ1E070RPTR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MIDDLE POWER MOSFET SERIES - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin TSMT T/R Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 |
| RQ1E075XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RQ1E100XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RQ1E100XNTR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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