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参数资料
| 型号： | RQ1E050RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TSMT8 |
| 供应商设备封装： | TSMT8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RQ1E050RP
l Electrical characteristic curves
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
Fig.18 Typical Capacitance
vs. Drain - Source Voltage
Data Sheet
1000
100
V GS = - 4.0V
Pulsed
T a =125oC
T a =75oC
T a =25oC
T a = - 25oC
10000
1000
T a = 25oC
f = 1MHz
V GS = 0V
C iss
C oss
10
100
C rss
1
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
100
Drain Current : -I D [A]
Fig.19 Switching Characteristics
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.20 Dynamic Input Characteristics
10000
1000
t f
T a =25oC
V DD = - 15V
V GS = - 10V
R G =10 W
Pulsed
10
8
T a =25oC
V DD = - 15V
I D = - 5.0A
R G =10 W
Pulsed
100
10
t d(on)
t r
t d(off)
6
4
2
1
0.01
0.1
1
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
Drain Current : -I D [A]
Total Gate Charge : Q g [nC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRH040P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 |
| RRH050P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 |
| RRH075P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
| RRH100P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| RRH140P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RQ1E070RP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RQ1E070RPTR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MIDDLE POWER MOSFET SERIES - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin TSMT T/R Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 |
| RQ1E075XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RQ1E100XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RQ1E100XNTR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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