参数资料
型号: RQ1E050RPTR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 11/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TSMT8
供应商设备封装: TSMT8
包装: 带卷 (TR)
RQ1E050RP
l Dimensions (Unit : mm)
D
TSMT8
A
c
Data Sheet
e
b
x
S A
e
S
y S
b2
Pattern of terminal position areas
[Not a recommended pattern of soldering pads]
DIM
A
A1
b
c
D
E
e
H E
L
L1
Lp
Lp1
MILIMETERS
MIN MAX
0.75 0.85
0.00 0.05
0.27 0.37
0.12 0.22
2.90 3.10
2.30 2.50
0.65
2.70 2.90
0.10 0.30
0.10 0.30
0.19 0.39
0.19 0.39
MIN
0.030
0.000
0.011
0.005
0.114
0.091
0.106
0.004
0.004
0.007
0.007
INCHES
0.026
MAX
0.033
0.002
0.015
0.009
0.122
0.098
0.114
0.012
0.012
0.015
0.015
x
y
-
-
0.10
0.10
-
-
0.004
0.004
DIM
MILIMETERS
MIN MAX
MIN
INCHES
MAX
b2
e1
l1
l2
-
-
-
2.41
0.47
0.49
0.49
-
-
-
0.095
0.019
0.019
0.019
Dimension in mm / inches
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.10 - Rev.B
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